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Physics · JEE | Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits

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एक अर्धचालक के लिए, ऊर्जा बैंड अंतराल \( E_g \) किसके द्वाराcharacterized होता है?

A
\( E_g \ge 5 \text{ eV} \)
B
\( E_g = 0 \)
C
\( E_g > 10 \text{ eV} \)
D
\( E_g < 3 \text{ eV} \)

उत्तर और समाधान देखें

सही उत्तर · विकल्प D

\( E_g < 3 \text{ eV} \)

व्याख्या

Semiconductors have a finite but small band gap such that \( E_g < 3 \text{ eV} \).

मिलते-जुलते प्रश्न

निम्नलिखित स्तंभों का मिलान करें और सही विकल्प चुनें: स्तंभ I स्तंभ II A पंचसंयोजक अशुद्धता 1 इंडियम, बोरॉन, एल्युमीनियम B त्रिसंयोजक अशुद्धता 2 आर्सेनिक, एंटीमनी, फॉस्फोरस C दाता ऊर्जा स्तर (\( E_D \)) 3 वैलेंस बैंड \( E_V \) के शीर्ष से ठीक ऊपर D ग्राही ऊर्जा स्तर (\( E_A \)) 4 चालन बैंड \( E_C \) के निचले हिस्से से ठीक नीचे नीचे दिए गए विकल्पों में से सही सुमेलन चुनिए:→एक आंतरिक अर्धचालक में, यदि \( n_e \) चालन इलेक्ट्रॉनों का संख्या घनत्व है और \( n_h \) होल्स का संख्या घनत्व है, तो तापीय साम्यावस्था में निम्नलिखित में से कौन सा संबंध सत्य है?→तापीय साम्यावस्था में एक अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉन सांद्रता \( n_e \) और होल सांद्रता \( n_h \) का गुणनफल निम्नलिखित में से किस द्रव्य-अनुपाती संबंध को संतुष्ट करता है?→एक p-प्रकार के अर्धचालक में, ऊर्जा बैंड आरेख में ग्राही ऊर्जा स्तर \( E_A \) कहाँ स्थित होता है?→

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