निम्नलिखित कथनों (A) तथा (B) पर विचार कीजिए और सही उत्तर पहचानिए। (A) जब ज़ेनर डायोड को वोल्टेज नियंत्रक के रूप में उपयोग किया जाता है, तो यह पश्च अभिनत (reverse bias) में जुड़ा होता है। (B) p-n संधि का विभव प्राचीर (potential barrier) \( 0.1\text{ V} \) से \( 0.3\text{ V} \) के बीच होता है।

Statement (A) is correct because a Zener diode is specifically designed to operate in the breakdown region under reverse bias conditions to maintain a constant voltage across the load. Statement (B) is incorrect because the typical potential barrier for a germanium p-n junction is about \( 0.3\text{ V} \) and for a silicon p-n junction is about \( 0.7\text{ V} \). Therefore, stating that the barrier potential generally lies between \( 0.1\text{ V} \) and \( 0.3\text{ V} \) is factually incorrect for standard semiconductor diodes.