नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन (A) और दूसरे को कारण (R) के रूप में लेबल किया गया है। अभिकथन (A): स्फुलिंग (चिनगारी) के बिना संधारित्र पर बड़ी मात्रा में आवेश संचित करने के लिए, संधारित्र की धारिता अधिक होनी चाहिए। कारण (R): उच्च धारिता यह सुनिश्चित करती है कि दिए गए आवेश \( Q \) के लिए विभवांतर \( V \) और परिणामी विद्युत क्षेत्र माध्यम की परावैद्युत भंजन सीमा से नीचे रहे। उपर्युक्त कथनों के आलोक में, नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनिए:

A
और (R) दोनों सही हैं और (R), (A) की सही व्याख्या है।
B
और (R) दोनों सही हैं लेकिन (R), (A) की सही व्याख्या नहीं है।
C
सही है लेकिन (R) गलत है।
D
गलत है लेकिन (R) सही है।

सही उत्तर · विकल्प A

और (R) दोनों सही हैं और (R), (A) की सही व्याख्या है।

व्याख्या

Since \( V = Q/C \), a large \( C \) keeps \( V \) and the surrounding electric field small for a given \( Q \), preventing the air from ionizing and discharging. Thus, Reason correctly explains Assertion.

मिलते-जुलते प्रश्न

धारिता \( C_1 = 4\, \mu\text{F} \) के एक संधारित्र को \( 50\text{ V} \) तक आवेशित किया जाता है और दूसरे संधारित्र \( C_2 = 6\, \mu\text{F} \) को \( 100\text{ V} \) तक आवेशित किया जाता है। यदि उन्हें समान ध्रुवता वाली पट्टिकाओं को एक साथ जोड़कर समांतर क्रम में जोड़ा जाए, तो इस संयोजन के सिरों पर अंतिम उभयनिष्ठ विभवांतर क्या होगा?→एकसमान रूप से ध्रुवित परावैद्युत पट्टिका के अंदर, किसी भी स्थूल आयतन अल्पांश \( \Delta v \) में कुल आवेश शून्य होता है क्योंकि:→एक चालक और एक परावैद्युत पट्टिका को एकसमान बाह्य विद्युत क्षेत्र \( \mathbf{E}_0 \) में अलग-अलग रखा जाता है। यदि \( \mathbf{E}_{\text{in}} \) प्रत्येक पदार्थ के अंदर प्रेरित विद्युत क्षेत्र को दर्शाता है, तो उनके अंदर कुल विद्युत क्षेत्र संतुष्ट करता है:→नीचे दो कथन दिए गए हैं: कथन I: स्थिरवैद्युत ऊर्जा घनत्व \( u = \frac{1}{2} \varepsilon_0 E^2 \) का सूत्र केवल समांतर पट्टिका संधारित्र की पट्टिकाओं के बीच एकसमान विद्युत क्षेत्र के लिए ही मान्य है। कथन II: किसी परावैद्युत माध्यम की विद्युतशीलता हमेशा मुक्त आकाश की विद्युतशीलता से कम होती है। उपर्युक्त कथनों के आलोक में, नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनिए:→

सही उत्तर · विकल्प A

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